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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）碳化硅SiC是寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。

國(guó)外碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展起步早，從襯底到外延片再到芯片的工藝產(chǎn)品相對(duì)成熟，不過近年來國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈也取得不小的進(jìn)步。

據(jù)了解，今年以來，華潤(rùn)微電子已經(jīng)切入到碳化硅領(lǐng)域，無論從產(chǎn)品線還是技術(shù)研發(fā)等布局來看，這家國(guó)內(nèi)功率IDM龍頭的入局將推動(dòng)國(guó)產(chǎn)碳化硅進(jìn)入新的階段。

碳化硅市場(chǎng)格局

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC市場(chǎng)份額，Cree是SiC襯底主要供應(yīng)商，羅姆、意法半導(dǎo)體等擁有自己的SiC生產(chǎn)線等。

襯底方面，國(guó)際主流產(chǎn)品從4英寸向6英寸過渡，Cree已經(jīng)開發(fā)出8英寸襯底。國(guó)內(nèi)襯底主要供應(yīng)商有天科合達(dá)、山東天岳、同光晶體等能夠供應(yīng)3 英寸-6 英寸的單晶襯底。國(guó)內(nèi)SiC襯底以4英寸為主，6英寸襯底還有待突破。

2019年8月，華為通過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳公司，占股10%，顯示華為正在布局新一代半導(dǎo)體材料技術(shù)。

外延片方面，國(guó)內(nèi)廈門瀚天天成、東莞天域、世紀(jì)金光已能提供4英寸/6英寸SiC外延片。目前，6英寸碳化硅外延片可以實(shí)現(xiàn)本土供應(yīng)。

SiC器件方面，國(guó)際上600~1700V SiC SBD、MOSFET 已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，主流產(chǎn)品耐壓水平在1200V 以下，封裝形式以TO 封裝為主。價(jià)格方面，國(guó)際上的SiC 產(chǎn)品價(jià)格是對(duì)應(yīng)Si 產(chǎn)品的5~6 倍，正以每年10%的速度下降。據(jù)預(yù)測(cè)，隨著上游材料器件紛紛擴(kuò)產(chǎn)上線，未來2~3年后市場(chǎng)供應(yīng)加大，價(jià)格將進(jìn)一步下降，預(yù)計(jì)價(jià)格達(dá)到對(duì)應(yīng)Si 產(chǎn)品2~3 倍時(shí)，由系統(tǒng)成本減少和性能提升帶來的優(yōu)勢(shì)將推動(dòng)SiC 逐步占領(lǐng)Si 器件的市場(chǎng)空間。

國(guó)內(nèi)碳化硅器件供應(yīng)商主要有中車時(shí)代電氣、中電55所、中電13所、基本半導(dǎo)體、泰科天潤(rùn)、瑞能半導(dǎo)體等，以及國(guó)內(nèi)功率IDM龍頭華潤(rùn)微電子也進(jìn)入到這一領(lǐng)域。